在硅表面形成二氧化硅鈍化層的能力是硅技術中的關鍵因素之一。本章將解釋二氧化硅生長的工藝、形成及用途。K4D551638H-LC50其中，要詳細解釋本工藝中最重要的部分——反應爐，因為它是氧化、擴散、熱處理及化學氣相淀積反應的支柱。另外，也會涉及到氧化反應的不同方法，其中包括快速熱氧化工藝。

   在形成半導體器件的硅的所有優點當中，容易生長出二氧

化硅膜層這一點可能是最有用的。無論任何時候，當硅表面暴露在氧氣中時，都會形成二氧化硅（見圖7.1）。二氧化硅是由一個硅原子和兩個氧原子組成的( S102)。在日常生活中，我們經常會遇到二氧化硅，它是普通玻璃的主要化學組成成分。但用于半導體上的二氧化硅，是高純度的，經過特定方法制成的。二氧化硅是在有氧化劑及逐步升溫的條件下，在光潔的硅表面E生成的，這種工藝稱為熱氧化。用濕法和干法氧化、等離子T藝和氣相反應生成二氧化硅層。在有氧化劑存在的高溫工藝（稱為熱氧化）是用于半導體器件的工藝：

   盡管硅是一種半導體材料，但二氧化硅卻是一種絕緣材料。在半導體上結合一層絕緣材料，再加上二氧化硅的其他特性，使得二氧化硅成為硅器仵制造中得到最廣泛應用的·種薄膜。科學家發現二氧化硅可以用來處理硅表面，做摻雜阻擋層、表面絕緣層，以及器件中的絕緣部分。在MOS器件中，最關鍵的層是柵，大部分柵是由二氧化硅薄層組成的．