干法(或等離子)顯影
發布時間:2015/11/1 18:53:39 訪問次數:950
液體工藝的消除一直是一個長期目標。它佃難于集成到自動化生產線,L6219并且化學品的采購、儲存、控制和處理費用高昂。取代液體化學顯影液的途徑是使用等離子體刻蝕工藝.j于法等離子體刻蝕對于刻蝕晶圓表面層已經是很完善的工藝了(見9.5節)。在等離子體刻蝕中,離子由等離子體場得到能量,以化學形式分解暴露的晶圓表面層。干法光刻膠顯影要求光刻膠化學物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等離子體去除。換句話說,把圖案的部分從晶圓表面氧化掉。一種稱為DESIRE的干法顯影工藝將在第10章中講述,它使用甲基硅烷( silylation)和氧等離子體。
硬烘焙
硬烘焙是在掩膜工藝中的第二個熱處理操作。它的作用實質上和軟烘焙是一樣的——通過溶液的蒸發來固化光刻膠。然而,對于硬烘焙,其唯一目標是使光刻膠和晶圓表面有良好的黏結,這個步驟有時稱為刻蝕前烘焙。
硬烘焙的方法
硬烘焙在設備和方法上與軟烘焙相似。對流爐、在線及手動熱板、紅外線隧道爐、移動帶傳導爐和真空爐都用于硬烘焙.,對于自動生產線,軌道系統受到青睞(見8. 10節)。
液體工藝的消除一直是一個長期目標。它佃難于集成到自動化生產線,L6219并且化學品的采購、儲存、控制和處理費用高昂。取代液體化學顯影液的途徑是使用等離子體刻蝕工藝.j于法等離子體刻蝕對于刻蝕晶圓表面層已經是很完善的工藝了(見9.5節)。在等離子體刻蝕中,離子由等離子體場得到能量,以化學形式分解暴露的晶圓表面層。干法光刻膠顯影要求光刻膠化學物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等離子體去除。換句話說,把圖案的部分從晶圓表面氧化掉。一種稱為DESIRE的干法顯影工藝將在第10章中講述,它使用甲基硅烷( silylation)和氧等離子體。
硬烘焙
硬烘焙是在掩膜工藝中的第二個熱處理操作。它的作用實質上和軟烘焙是一樣的——通過溶液的蒸發來固化光刻膠。然而,對于硬烘焙,其唯一目標是使光刻膠和晶圓表面有良好的黏結,這個步驟有時稱為刻蝕前烘焙。
硬烘焙的方法
硬烘焙在設備和方法上與軟烘焙相似。對流爐、在線及手動熱板、紅外線隧道爐、移動帶傳導爐和真空爐都用于硬烘焙.,對于自動生產線,軌道系統受到青睞(見8. 10節)。