硬烘焙的時間和溫度的選取與在軟烘焙工藝中是相同的。起始點是由光刻膠制造商推薦的工藝。 L6219DS之后，工藝被精確調整，以達到黏結和尺寸控制的要求。一般使用對流爐的硬烘焙的溫度是從130℃~ 200℃進行30分鐘。對于其他方法，時間和溫度有所不同。設定最低溫度使光刻膠圖案邊緣和晶圓表面達到良好黏結。熱烘焙增強黏結的機理是脫水和聚合。加熱使水分脫離光刻胺，同時使之進一步聚合，從而增強了其耐刻蝕性。

   硬烘焙溫度的上限以光刻膠流動點而定。光刻膠有像塑料的性質，當加熱時會變軟并叮流動（見圖9.9）。當光刻膠流動時，圖案尺寸便會改變。當在顯微鏡下觀察光刻膠流動時，將會明顯增厚光刻膠邊緣。極度的流動會在沿圖案邊緣處顯示出邊緣線。邊緣線是光刻膠流動后在光刻膠中留下的斜坡而形成的光學作用。

   硬烘焙是緊跟在顯影后或馬上在開始刻蝕前來進行的（見圖9. 10）。在大多數生產情況中，硬烘焙是由和顯影機并排在一起的隧道爐來完成的。當使用此種操作規程時，把晶圓存放在氮氣中或是立即完成檢驗步驟以防止水分重新被吸收到光刻膠中，這一點非常重要。

    工藝工程上的一個目標是有盡可能多的共同工藝。對于硬烘焙工藝來說，由于各種晶圓表面的不同黏接性質有時會給工藝帶來困難。更加困難的表面，如鋁和摻雜磷的氧化物，有時要經高溫硬烘焙或在即將要刻蝕之前對其在對流爐中進行二次硬烘焙。