晶圓E的最終膜層之一是一層在鋁膜上的二氧化硅鈍化膜。這些膜是蒸氣氧化或硅氧化膜。 EL1508ES膜的化學成分是硅氧化物（與熱生長二氧化硅相同），它要求不同的刻蝕溶液。不同之處是所要求的刻蝕劑的選擇性不同。

   通常刻蝕二氧化硅的刻蝕劑是緩沖氧化物刻蝕溶液。但是緩沖氧化物刻蝕會腐蝕下層的鋁壓點，導致在封裝工藝中產生壓焊問題。這種情況會使壓點變成褐色( Brown)，或壓點上出現污漬( stain)。受青睞的刻蝕劑是氟化胺和醋酸1:2的混合水溶液。

   氮化硅濕法刻蝕

   對于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅．，可以用液體化學的方法來刻蝕，但是不像其他層那樣容易。使用的化學品是熱磷酸(180℃)。因酸液在此溫度下會迅速蒸發，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行（見圖9. 19）。主要問題是光刻膠層經不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導致對于氮化硅使用干法刻蝕技術。