透射電鏡： IRF530PBF標準的SEM設備分辨率范圍在20~ 30 A陀，它對于ULSI集成電路器件檢測造成一個障礙。煞而，透射電子束通過一個薄層樣品時，其分辨率增至2A。分辨率的增加的確誘人，但樣品的制備是一件很耗時并且需要高精度的事情。透射電鏡(TEM)是用于實驗中離線1-作的最好儀器。

   這一原理被用于測量膜厚度。在掃描電鏡下，高能電子束產生X射線并以此方式脫離表面。幸運的是，X射線的能量由表面原子反射，并且能被分析以獲得其他信息。，當一個X射線光譜添加到掃描電鏡中，以探測分散X射線時，上述過程便可實現，獲得的其他信息是關于材料（元素）的化學信息。

   光學輪廓曲線儀：這是一一種顯微鏡型儀器，它用一個光束分光器將光束分成兩束。一束被反射到一個反射鏡面．？結合反射光束引起的干涉，它依次提供表面的形貌和輪廓，它還能確定臺階的高度和提供3D圖像。

   電容一電壓曲線法：可動離子污染( MIC)是在工藝中結合進器件的電活性離子．、它們來自被污染的工藝材料、臟的工藝機臺和腔室，以及環境污染。它們不能用表面的檢測方法檢測到。然而，在晶體管和二極管的電學測量中，它們顯現來。、通過精確地摻雜制造半導體器件的各部分，MIC在器件中作為摻雜劑活動，并且改變器件的電性能。一個常用的電學測試是繪出MOS晶體管的電容一電壓曲線。這種技術在關于器件電測試一節進行論。