減薄的工序通常介于晶片分揀和劃片工序之間。晶圓被減薄到100 ht,m左右的厚度1，TMS320DM6437ZWT6此處使用在晶圓制備階段研磨晶圓時用的相同工藝（機械研磨和化學機械拋光），芯片倒裝焊封裝也要求晶圓減薄。

   晶圓減薄是個令人頭疼的工序。在背面研磨時，可能會劃傷晶片的正面和導致晶片破碎。、由于晶圓要被壓緊到研磨機表面或拋光平面上，晶圓的正面一定要被保護起來，晶圓一日被磨薄就變得易碎。在背面刻蝕中，同樣要求將晶圓正面保護起來防止刻蝕劑的侵蝕。這種保護可以通過在晶圓正面涂一層較厚的光刻膠來實現。其他方法包括在晶圓正面黏一層與晶圓大小尺寸相同的，背面有膠的聚合膜。必須控制在研磨一拋光工藝中產生的應力以防止晶圓或芯片在應力下的彎曲變形。晶圓的彎曲變形會影響劃片工序（芯片破碎和裂痕）。芯片的變形會在封裝工序產生問題。

   背面鍍金：晶圓制造中的另一個可選的工序是在晶圓背面鍍金。對計劃用共晶焊技術（見18.4.5節）將芯片黏結到封裝體中的晶圓上，其背面需要鍍金層。此鍍金層通常在晶圓造廠以蒸發或濺射的工藝來完成（在背面研磨后）。