射卜曝光．被曝光（或沒有被曝光，取決于它們的極性）后的光刻膠在顯影步驟中被洗掉，DM74LS14N從而在晶圓表面廣：生光刻膠圖案，后續的工藝如刻蝕等在不被光刻膠保護的表面進行  又稱為光敏抗蝕劑，針孔( pinhole)：在光刻膠中或在掩模版不透光部分中的小孔洞針柵陣列封裝( Pin Grid Array，PGA)：器件封裝的一種，器件底座卜伸出許多個針形的管 鷹，器件在封裝內‘0這些針形管鷹相連。平面結構( planar structure)：通過擴散和氧化在硅片的表面形成的平面結構的器件平坦化( planarization)：在制造丁藝中，通過熱流程、有機層或化學機械拋光技術對晶圈表面的乎整化等離子體( plasma)：微粒經過離子化形成的高能量氣體，等離子體增強化學氣相淀積( plasma-enhanced CVD)：  一種通過等離子體能量來進行淀積的化學氣相淀積系統、等離子體刻蝕( plasma etch)：通過等離子體能量增強的反應氣體進行f法刻蝕的r：藝塑封( plastic package)：參見molded package。

   通孔塞[ plug，(via plug)]：在多層金屬工藝中，在連接不同層金屬時的通孔中淀積金屬（通常是難熔的金屬）形成接線柱，P溝道金屬氧化物半導體( PMOS)：金屬氧化物半導體場效應管的一種，導電溝道中的多數載流子為空穴。

   PNP型晶體管(PNP)：在兩個P型區域中夾著一個N型區域的半導體結構，常見的雙極剖器件的一種。