IGBT與MOSFET相比有哪些優點？

   答：MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。 GS1006FL主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。但其主要缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

   IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。優點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

   變頻器中使用的絕緣柵雙極型晶體管的結枸特點是什么？

   答：絕緣柵雙極型晶體管簡稱IGBT，是場效應晶體管MOSFET和電力晶體管GTR組合在一起而形成的，它的主體部分與GTR相同，也有集電極(C)和發射極(E)，而控制極的結構與MOSFET相同，為絕緣柵結構，也叫作柵極(G)，如圖2- 17所示。