光電探測器還有其他一些特性參數，在使用時必須注意到，如光敏面的面積、探測K4D26323RA-BC2B器電阻、電容、工作溫度、工作時需外加的電壓或電流（稱為偏置）及光照功率等，特別是極限工作條件，正常使用時都不允許超過這些指標，否則會影響探測器的正常工作，甚至使探測器損壞。

   光電導效應

   當半導體材料受光照射時，由于對光子的吸收引起載流子濃度增大，因而導致材料電導率增大，這種現象稱為光電導效應，是一種內光電效應。材料對光的吸收有本征型和非本征型，所以光電導效應也有本征型和非本征型兩種。當光子能量大于材料禁帶寬度時，把價帶中電子激發到導帶，在價帶中留下自由空穴，從而引起材料電導率增加，即本征光電效應。若光子激發雜質半導體，使電子從施主能級躍遷到導帶，或受主能級的空穴躍遷到價

帶，產生光生自由電子或自由空穴，從而增加材料電導率，即本征光電導效應。圖4.3所示為本征和非本征光電導過程。