根據加速電壓和覆蓋層情況不同，轟擊到CCD像敏元上的電子能量也不同。一般， R5F21144SP每個光電子可以產生大約2000～3000個電子。作為光子探測器應用，這種增益量級已經足夠。例如，若CCD芯片上放大器噪聲為300個電子，則很易分清有一個光電子或者沒有光電子。而作為微光攝像應用，由于二代像增強器光陰極的靈敏度可達400 yA/lm以上，所以，EBCCD也可以實現高靈敏度、高電子增益和低暗電流。

   EBCCD的不足是工作壽命短。CCD在高速電子轟擊下會產生輻射損傷，輻射損傷使暗電流和漏電流增加，轉移效率下降，從而嚴重影響CCD的壽命。采用背面輻照方式，情況有所改善，但需要增加工藝步驟，成品率低。

   除上述兩種得到應用的微光CCD外，還可以使背照減薄的幀／場轉移結構CCD在低溫下工作，以大大地降低暗電流，并允許增加每場光積分時間，而進一步提高信噪比。正  圖7.31倒像式EBCCD結構面光照器件的量子效率典型值為25%左右，而背照器件的量子效率可高達80%。制冷器件適用于凝視工作模式，已經在天文觀察方面獲得成功的應用。