電離效應倍增電子示意圖
發布時間:2016/1/30 22:52:26 訪問次數:676
自掃描光電二極管陣列( SSPD)又稱為MOS型圖像探測器,它的自掃描電路由MOS移位寄存器構成。 R5F21162SP根據像元的排列形狀不同,它又分為線陣列和面陣列兩種。線陣列如不另加掃描機構,則只能對移位的光強分布進行光電轉換。但由于它的成本低,且許多被測對象本身在運動中,自然形成另一維掃描,故在機器視覺檢測方面用量很大。面陣列可以直接對二雛圖像進行光電轉換。
線陣的結構
圖7.34是一種再充電采樣的SSPD線陣電路框圖,它主要由三部分組成。
圖7.34 SSPD線陣電路框圖
①Ⅳ個形狀和大小完全相同的光電二極管,每個二極管有相同存儲電容Cd,用半導體集成電路技術在硅片上把它們等間距地排成一條直線,稱為線陣列。所有二極管的負極連在一起,組成公共端COM。圖中Ⅳ為陣列的位數(像元數)。
②Ⅳ位多路開關,由CMOS場效應晶體管(FET) (VT1~VTN)組成,每個FET的源極分別與相應的二極管正極相連,而所有的漏極連在一起,組成視頻輸出線V。
③Ⅳ位MOS動態移位寄存器,做掃描電路用。移位寄存器每一位的輸出el~eN與對應的MOS開關的柵極相連。給移位寄存器加上兩相互補的時鐘脈沖嘲和曉,用一個周期性的起始脈沖S引導每次掃描的開始,移位寄存器就產生依次延遲一拍的采樣脈沖,使多路開關VTI~VTN按順序閉合、斷開,從而把1~Ⅳ位二極管.七的光電信號從視頻線上串行輸出,這就是所謂的“自掃描”功能。
自掃描光電二極管陣列( SSPD)又稱為MOS型圖像探測器,它的自掃描電路由MOS移位寄存器構成。 R5F21162SP根據像元的排列形狀不同,它又分為線陣列和面陣列兩種。線陣列如不另加掃描機構,則只能對移位的光強分布進行光電轉換。但由于它的成本低,且許多被測對象本身在運動中,自然形成另一維掃描,故在機器視覺檢測方面用量很大。面陣列可以直接對二雛圖像進行光電轉換。
線陣的結構
圖7.34是一種再充電采樣的SSPD線陣電路框圖,它主要由三部分組成。
圖7.34 SSPD線陣電路框圖
①Ⅳ個形狀和大小完全相同的光電二極管,每個二極管有相同存儲電容Cd,用半導體集成電路技術在硅片上把它們等間距地排成一條直線,稱為線陣列。所有二極管的負極連在一起,組成公共端COM。圖中Ⅳ為陣列的位數(像元數)。
②Ⅳ位多路開關,由CMOS場效應晶體管(FET) (VT1~VTN)組成,每個FET的源極分別與相應的二極管正極相連,而所有的漏極連在一起,組成視頻輸出線V。
③Ⅳ位MOS動態移位寄存器,做掃描電路用。移位寄存器每一位的輸出el~eN與對應的MOS開關的柵極相連。給移位寄存器加上兩相互補的時鐘脈沖嘲和曉,用一個周期性的起始脈沖S引導每次掃描的開始,移位寄存器就產生依次延遲一拍的采樣脈沖,使多路開關VTI~VTN按順序閉合、斷開,從而把1~Ⅳ位二極管.七的光電信號從視頻線上串行輸出,這就是所謂的“自掃描”功能。
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