當光照射到二極管上時，產生R5F21244SDFP光電流屯，使上述放電過程加速。在積分時間一定的情況，Cd上放掉的電荷Aq隨著光強Ⅳ的增大而增大，如圖7.36 (d)中的凰、H2等曲線所示。當光強增大到某一光強Hs時，放掉的電荷Aqs=/LTS=Q=Cd礦，即二極管電容

Cd上原來充滿的電荷Q被全部放掉。此后，即使光強比Hs再增大，放掉的電荷Aq也不可能再增加。稱Qs= Cdy為飽和電荷，而Hs為飽和光強，稱Es= Hs Ts為飽和曝光量。

   顯然，如果tl～t2期間光強為H(t)，光電流為/L(廠)，都是時間f的函數，則tl～t2期間光電流放掉的電荷Aq，/為平均光電流。可見，這里有個積分效應或積累效應。

   第二個采樣脈沖到來時（t2時刻），MOS開關VTf又導通，偏壓V通過負載R向二極管電容Cd再充電，使之恢復到原來的偏壓礦。顯然，補充的電荷等于積分時間內Cd上消失的電荷Aq，再充電電流而的波形如圖7.36 (c)所示，其峰值隨光強H的增大而增大。厶在負載電阻RL上產生的電匿脈沖就是SSPD器件的視頻輸出信號。圖7.36 (d)是實現電荷存儲工作方式的單元結構圖，這里把MOS開關的源極和光電二極管的P區合為一體了。