鰭背式晶體管(FinFET)技術正是在這樣的狀況下應運而生。∏nFET稱為鰭背式場S606C-1000效應晶體管(∏nField-cffcct transistor,FinFET),它是一種新的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管,柵長已可小于2snm,未來預期可以進一步縮小至%m。FhFET是源自目前傳統標準的場效應晶體管(Ficld~effect transistor,FET)的一項創新設計。在傳統的晶體管結構中,只能在柵極的一側控制電路的接通與斷開,屬于平面架構。在FillFET的架構中,柵極類似魚鰭的叉狀3D架構,可在電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流,也可以大幅縮短晶體管的柵長,如圖1.5所示。

   圖1.5 集成電路中晶體管的變化

   FinFET技術對移動設備來說也變得日益重要。自2011年Intel推出商業化的2加m節點工藝的FinFET以來,目前FinFET已經在向14nm節點推進發展,并帶動整個半導體制造技術與產業的發展。

   集成電路的快速發展,給可靠性保證帶來了巨大的挑戰。集成電路的可靠性需要深入研究可靠性物理和失效機理,結合產品的設計要求,以減少可靠性對集成電路特征尺寸進一步縮小的制約,并保證產品保持足夠的可靠性容限(ReliabilityAllowance)。