利用多晶硅替代金屬鋁作為MOs器件的柵極是MOs集成電路技術的重大突破, AD7892BN-2它比利用金屬鋁作為柵極的MOs器件性能上得到了很大提高,而且采用多晶硅柵技術可以實現源漏區自對準離子注入,使MOS集成電路的集成度得到很大提高。多晶硅是在ω0~60℃的低壓反應爐中用硅烷熱分解制作而成的.

   在低溫下通過硅烷熱分解法很容易沉積未摻雜和摻雜的S⒑2薄膜,而對以TEOs為源沉積的sio薄膜進行摻雜則有些困難。

   磷硅玻璃

   在沉積s⒑2的氣體中同時摻入PH3,就可形成磷硅玻璃(PsG)。由于PsG中 包含P205和s⒑2,所以它是一種二元玻璃網絡體,并且它的性質與非摻雜S⒑2(UsG)有很大的不同。APCVD PsG與未摻雜CVD s⒑2相比,有較小的應力,階梯覆蓋也有所改善(盡管仍然很差)。雖然PsG對水汽的阻擋能力強,但它可以吸收堿性離子。PsG在高溫下可以流動,從而可以形成更為平坦的表面,使隨后沉積的薄膜有更好的臺階覆蓋。PsG高溫平坦化工藝的溫度控制范圍在1000~1100℃之間,壓力控制范圍在1.01325×1~2.533125×1JPa,在o2、N2等氣體環境中進行。此時PsG玻璃軟化,可使尖角變得圓滑。表面坡角減小的程度能夠反映PsG流動的程度,流動的程度還依賴于溫度及磷的濃度。