經過腐蝕或離子注入之后,已經不再需要光刻膠作為保護層,因此便可以將光刻膠從硅片的表面去除。A3245LUA-T膠的方法包括濕法去膠和干法去膠。對非金屬膜(如s⒑2、多晶硅、氮化硅)上的膠層一般用無機溶劑(如硫酸等)去膠,可使膠層氧化,溶于溶劑中。金屬膜(如鋁、鉻等)上的膠層一般用有機溶劑(如丙酮和芳香族的有機溶劑等)去膠,這些去膠劑對金屬無腐蝕作用。

   干法去膠則用等離子體將光刻膠去除。如使用氧等離子體,硅片上的光刻膠通過氧等離子體發生化學反應,生成氣態的Co、Co2和H20,可以由真空系統抽走。相對于濕法去膠,干法去膠的效果更好,但干法去膠存在反應殘留物的玷污問題,因此二者經常搭配進行,光刻工藝流程。