光刻工藝的質量不僅影響器件的特性,而且對器件的成品率和可靠性也有很大影響,對光刻質量的要求是刻蝕的圖形完整、尺寸準確、 HAT2189WP-EL-E邊緣整齊;圖形外氧化層上沒有針孔,同時要求套合準確、無污點等。對氧化工藝過程的要求則是氧化層的厚度均勻,結構致密,與光刻膠的黏附良好,不易產生浮膠現象。對金屬化工藝過程的要求則是與絕緣介質膜有良好的黏附性、層間接觸電阻要小、無污點等。光刻過程中,常會出現浮膠、毛刺、鉆蝕、針孔和小島等缺陷,影響柵氧和金屬化的可靠性。

   浮膠是指顯影或腐蝕過程中,由于化學試劑不斷浸入光刻膠膜與S⒑2或其他薄膜間的界面,引起抗蝕劑膠膜皺起或剝落的現象。產生浮膠的原因有涂膠前硅片表面不清潔,沾有油污或水汽,使膠膜與硅片表面間沾潤不良;光刻膠配制有誤或膠液陳舊變質,膠的光化學反應性能不好,與硅片表面黏附能力差。前烘時間不足或過度;曝光不足,光化學反應不徹底,部分膠膜溶于顯影液中,引起浮膠;顯影時間過長;腐蝕時產生浮膠的原因有堅膜不足,膠膜沒有烘透,黏附性差,在腐蝕液作用下引起浮膠;腐蝕液配比不當,如腐蝕sio的氫氟酸緩沖腐蝕液中氟化銨太少,腐蝕液活潑性太強;腐蝕溫度太低或太

高,溫度太低,腐蝕時間太長,腐蝕液穿透或從膠膜底部滲入,引起浮膠,溫度太高,則腐蝕液活潑性強,也可能產生浮膠。