低勢壘高度的歐姆接觸。低勢壘高度的歐姆接觸是一種肖特基接觸,如鋁與P型硅的接觸。HCF4053M013TR當金屬功函數大于P型硅功函數而小于N型硅功函數時,金屬―半導體接觸即可形成理想的歐姆接觸。但是,由于金屬一半導體界面的表面態的影響,使得半導體表面感應空間電荷區層形成接觸勢壘,因此在半導體表面摻雜濃度較低時,很難形成較理想的歐姆接觸。

   高復合中心歐姆接觸。當半導體表面具有較高的復合中心密度時,金屬一半導體間的電流傳輸主要受復合中心控制。高復合中心密度會使接觸電阻明顯減小,伏安特性近似對稱,在此情況下,半導體也可以與金屬形成歐姆接觸。隨著微電子器件特征尺寸越來越小,硅片面積越來越大,集成度水平越來越高,對互連和接觸技術的要求也越來越高。除了要求形成良好的歐姆接觸外,還要求布線材料滿足以下要求:

   ①電阻率低,穩定性好;

   ②合金可被精細刻蝕,具有抗環境侵蝕的能力;

   ③易于沉積成膜,黏附性好,臺階覆蓋好;

   ④具有很強的抗電遷移能力,可焊性良好。