對于銅互連來說,鉭(%)、氮化鉭(%N)都是阻擋層金屬的材料。這個擴散阻擋層必須很薄(約75A), EL5427CLZ以致不影響具有高深寬比填充薄膜的電阻率而又能扮演一個阻擋層的角色。

   采用CVD沉積銅電鍍所必需的薄的種子層。種子層或觸及電鍍層是一層度為5OO~1000A的薄層并沉積在擴散阻擋層頂部(以鉭為基礎的阻擋層金屬)。對于成功的電鍍,沿著側壁和底部,種子層是連續的,沒有針孔以及空洞是至關重要的。如果種子層不連續,就可能會在電鍍的銅中產生空洞。

   用于CVD銅的是氣體Cu(hfac)2(TMVs),常溫下為黃色氣體,能通過在H2中還原Cu(hfac)2進行反應,其化學反應式如下:

   Cu(hhc)2(氣體)+H2(氣體)→Cu(固體)+2H2(氣體)

   采用CVD工藝來沉積銅電鍍薄的種子層。選擇合適的工藝條件(沉積溫度、時間、系統壓力及反應劑濃度等),可以得到所要求的種子層薄膜的厚度。工藝完成后沉積的厚度應達到規范值。