金屬層1
發布時間:2016/6/19 18:19:47 訪問次數:533
涂覆低庀介質,接著沉積So2。隨后進行EP20K600EFC672-2X金屬1的光刻,腐蝕Sio2和低庀介形成金屬1填充的凹槽,如圖4.24所示。
圖424 金屬l凹槽
沉積Ta作為銅浸潤層,采用CVD法沉積金屬銅,金屬l凹槽被銅填充,接著用CMP方法去除圓片表面的銅,最終形成金屬1的互連。如圖4.25所示。
涂覆低庀介質,接著沉積So2。隨后進行EP20K600EFC672-2X金屬1的光刻,腐蝕Sio2和低庀介形成金屬1填充的凹槽,如圖4.24所示。
圖424 金屬l凹槽
沉積Ta作為銅浸潤層,采用CVD法沉積金屬銅,金屬l凹槽被銅填充,接著用CMP方法去除圓片表面的銅,最終形成金屬1的互連。如圖4.25所示。
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相關技術資料- 6-19金屬層1
公網安備44030402000607
