MOs器件
發布時間:2016/6/19 19:08:45 訪問次數:2161
MOs器件。隨著溝道電流的增加,熱載流子增加,注入氧化層中使gt和么t增加,這使MOS器件的平帶電壓(/F:)、 ESD5Z2.5T1G閾值電壓(Kh)漂移,跨導(g“ma對)減小,變化達到一定數值即引起失效。圖5.1所示是MOS器件中熱載流子注入效應示意圖。
熱載流子主要為熱電子,所以N溝道MOS器件的熱載流子注入效應比P溝道MOs器件的明顯。文獻報道:對于納米器件,有效溝道長度縮小到65nm,漏源電壓(‰s)降至1.2V時仍發生熱載流子效應,此時PMOs器件的熱載流子注入效應變得明顯起來。
MOs器件。隨著溝道電流的增加,熱載流子增加,注入氧化層中使gt和么t增加,這使MOS器件的平帶電壓(/F:)、 ESD5Z2.5T1G閾值電壓(Kh)漂移,跨導(g“ma對)減小,變化達到一定數值即引起失效。圖5.1所示是MOS器件中熱載流子注入效應示意圖。
熱載流子主要為熱電子,所以N溝道MOS器件的熱載流子注入效應比P溝道MOs器件的明顯。文獻報道:對于納米器件,有效溝道長度縮小到65nm,漏源電壓(‰s)降至1.2V時仍發生熱載流子效應,此時PMOs器件的熱載流子注入效應變得明顯起來。
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相關技術資料- 6-19MOs器件
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