漏雪崩熱載流子(DAHC,Drain Avalanchc Hot Ca△icr)        -

由漏端強電場導致的雪崩倍增效應引起的電子從溝道獲得足夠高的能量, ESD5Z7.0T1G經碰撞電離后產生電子一空穴對,電子一空穴對又會產生更多的電子一空穴對,形成雪崩過程。

   襯底熱電子(SHE,Substrate HOt Πcc“on)

   它是在位于表面附近的襯底區中由于熱產生或注入電子到so2中形成的。當/Ds=0且吒s)0并施加較大的背柵壓吒s時,自舉電路中的上升過程就可以發生sHE注入現象。

   耗盡層中產生的電子或從襯底中性區擴散過來的電子在向si/S⒑2界面漂移的過程中從表面耗盡區的高電場中獲得能量,其中部分電子將獲得足夠高的能量并越過勢壘。由于熱產生的電子一空穴對較少,sHE注入實際上并不重要。

   二次產生的熱電子

   二次產生的熱電子是由襯底電流的二次碰撞離化產生的二次少子。漏端附近的雪崩過程形成了襯底空穴電流,該空穴電流通過碰撞離化形成二次電子一空穴對,這些二次電子如同sHE一樣會被注入柵氧化層中。

   在柵氧化層較薄((lOnm)和背柵偏壓較大的情況下,二次電子注入效應特別嚴重。實際上界面處產生的熱電子和熱空穴會使0.25um PMOs器件的跨導和漏極電流隨著時間的增加而下降。