NBTI效應產生界面陷阱的討論:第1個模型討論通過氫鍵相互作用動力學產生陷阱; OES4805第2個模型描述了通過化學物質的相互作用和擴散形成更普遍的陷阱。

   氫模型。氫界面陷阱,可以表示為其中,HO是一個中性的間隙氫原子。第一性原理計算表明帶正電荷的氫原子或質子H+在界面是唯一穩定的氫充電狀態,H+直接和SiH反應形成界面陷阱,該模型采用的事實是合成的SiH(鈍化的懸掛的化學物質)被極化以致更多的正電荷在si原子附近停留和更多的負電荷在氫原子附近停留。H+移向SiH分子的負電荷偶極區。然后H+和Hˉ反應形成H2,留下一個正電荷的si懸掛鍵(或者缺陷中心)。在這個模型中,H2最后可以作為催化劑再次分解來破壞另外的sⅢ鍵。

   這個過程理論上可以持續進行,直到氫被反應完。有一個不同的模型有時被用來解釋NBTI誘發陷阱的形成,認為在sⅡ的“熱空穴”、附近的空穴或者⒏/S⒑2界面的相互作用。