Roy提出在sio2的粘彈溫度(Ⅵs∞clastic tcmperaturc)以上生長Sio2是有好處的,因在高溫下so2的粘性減小引入了生長應力,在隨后的冷卻過程中應力逐步增加。 OF280SC50D梯度結構有助于應力釋放,預生長的S⒑2層為后續的高溫氧化層提供梯度來生長預生長的S⒑2不中層,該種層作為應力釋放的緩沖,采用這種工藝設計,可以生長沒有局部應力梯度的高質量so2界面層。通常是在9翎~1050℃稀釋的氧化環境中(0.1%o)生長梯度氧化層,該梯度氧化層需要在750~800℃下進行s02層的預處理。這個預生長的氧化層在冷卻階段提供了梯度和應力釋放,與傳統的s⒑2相比,梯度氧化層可以把NBTI效應的影響減少3倍,這歸功于Si/Sio2界面子結構和氧化層中弱硅氧鍵數目的減少。Ⅱu等通過共振核反應分析測量了蒸汽生長氧化層中氫的再分布,分析了850°C下和溫度高于10O0℃下的氧化后退火(PoA,PostoxidatiOn Amcaling)對25nm厚氧化層NBTI效應的影響,測量表明PoA樣品有著明顯降低的氫密度和低的界面態,在施加NBTI應力后,在Si/so2界面處堆積的氫密度近似在gnm寬的范圍內,這明顯地高于NBTI產生的界面態。POA明顯地改善了NBTI效應,Bunyan表明在SOI MOS器件中的自加熱效應可以引起平帶電壓漂移和界面態密度的增加,從而加劇NBTI效應。