電遷移(EM)。TCV應具有表征最壞情況金屬電遷移的結構:

   ①表面平整化;

   ②最壞情況非接觸性結構;

   ③導電層間的連通;

   ④襯底接觸。

   應根據工藝允許的最壞情況的電流、溫度和DAC08EPZ版圖幾何結構確定電遷移的電流密度和溫度加速度,以及中位失效時間(MTTF)和失效分布。通過MTTF和失效分布,可以計算出電遷移的失效率。

   與時間有關的柵介質擊穿(TDDB)。TCV應包含表征柵氧TDDB的結構。應具有表征柵氧面積和周長的測試結構。應使用不同周長的柵結構,以表征柵與源或漏交疊邊界,以及柵與晶體管和晶體管之間隔離氧化層交接邊界的介質特性。應根據工藝允許的最壞情況電壓條件和最薄的柵氧化層厚度確定TDDB的試驗電場強度和溫度加速因子,獲得MTTF和失效分布,從MTTF可以計算TDDB的失效率。

   TCV快速測試結構要求。TCⅤ程序應包括用于評價熱載流子退化的快速可靠性測試結構,以便得到快速測量與加速壽命試驗結構之間的關系。