PCM技術具有準確、方便的DAC08HQ優點,該技術在工藝線上的應用,成為工藝質量保證的重要方法,從技術上來說它具有以下作用:工藝參數提取、進行工藝監測、為sPC控制提供數據,通過PCM測試發現和修改圖形庫中測試結構存在的問題。通過PCM監測及時反映工藝中存在的質量問題,如埋層電阻的監測反映外延工藝前的腐蝕工藝和外延生長初始階段工藝控制情況。當控制不當時,埋層電阻增大,那么同一批電路的埋層電阻過大,集電極串聯電阻增大,飽和壓降過高,電路功能發生變化。因此薄層電阻作為基本參數在工藝中是要嚴格監測和控制的。

   由于MOs電路與雙極電路工藝不同,采用的PCM壩刂試結構也不一樣,作用也就不同,以下分別進行描述。

   MOS電路的PCM測試結構的作用。MOs單管結構,包括相同溝道寬度不同溝道長度的N管和P管、不同溝道寬度的N管和P管、寬溝道的N管和P管,主要用來考察器件參數和進行器件模型參數提取;PN結結構,包括疒`結和N+″二極管等,主要用來考察結特性和完整性;電阻結構,包括N+、蘆電阻,N、P阱電阻,多晶硅電阻等,主要用來考察各種擴散及注入薄層電阻。介質結構,包括絕緣介質電容、柵氧化層電容等,主要用來考察介質的絕緣性、柵氧化層完整性;金屬化測試結構,包括金屬電阻、橋接和連續性、金屬條等,主要用來考察金屬薄層電阻、金屬抗電遷移能力、金屬間短斷路、金屬晶粒的大小;接觸測試結構,包括接觸電阻、接觸孔鏈、金屬通孔鏈等,主要用來考察接觸電阻的大小,也就反映接觸窗口工藝及半導體摻雜工藝的質量。