已有的研究表明,天線比越大,等離子損傷越厲害。所以對于每種情況(金屬、多晶體硅、通孔等)應當通過評價,最后給出結果來說明在多大的天線比以下是安全的, HCPL2531供電路設計工程師參考。這也是設計規則檢查(Dcsign Rule ChcGk,DRC)的一部分。

   設計MOs晶體管時,要考慮天線效應的影響。天線效應是指當大面積的金屬1與柵極相連時,金屬就會作為一個天線,在金屬的刻蝕過程中收集周圍游離的帶電離子,增加金屬上的電勢,進而使柵電勢增加。一旦電勢增加到一定程度,就會導致柵氧化層擊穿,如圖8.33所示。圖8.34所示是實際工藝中MOs器件天線效應產生的示意圖,與柵極相連的大面積多晶硅也可能出現天線效應。