為了避免天線效應,應減小直接連接柵的多晶硅和金屬1的面積,使它們的面積與晶體管的柵氧面積之比保持在一定的比例以下(該比例由芯片工廠給出)。 HCPL2531SD這可以通過采用金屬2過渡來實現。在金屬1的刻蝕過程中,金屬2沒有加工,因此直接連接到晶體管柵極的金屬l的面積大大減小,避免了金屬1所引起的天線效應。但是仍不能避免金屬2的天線效應,因為在金屬2的刻蝕過程中,金屬1和通孔1己經存在,金屬2上積累的電勢會通過這些連接通道傳到晶體管柵極,有可能使柵氧化層擊穿。因此,金屬2與晶體管的柵氧面積之比仍要保持在一定的比例以下。以此類推,各層金屬都會對MOs管上的柵氧化層產生天線效應。應注意的是,大面積的多晶硅也有可能出現天線效應。因此,必須在設計時考慮其消除的方式。

   由于天線效應是在干法刻蝕時,暴露的導體收集電荷造成的,因此解決天線效應的方法有金屬跳層(即采用第二層金屬過渡)、用PN結將其電荷引入襯底,如圖8.35所示。