天線效應的設計規則是指允許的金屬面積和柵介質的面積之比,該比例由每層金屬各自確定。HCPL-2630-000E設計規則中定義的面積為所有連接到柵且沒有連接到擴散區的總面積。如果工藝支持不同的柵氧,如厚柵氧和薄柵氧,則每種柵氧都有各自不同的規則。對于0,18um cMOS工藝,當不采用二極管消除刻蝕工藝產生的電荷時,和多晶相連的金屬面積應在所接柵面積的400倍以下。而當柵極與大塊的多晶相連時,多晶的面積應在所接柵面積的2O0倍以下。

   柵氧漏電,盡管對功耗不利,但對天線效應是有利的。柵氧漏電可以防止電荷積累達到擊穿。和較厚的柵介質相比,薄的柵介質較不易發生損壞。因為當柵氧變薄,漏電是呈指數上升的,而擊穿電壓是線性下降的。