氧化層的完整性是半導體工業中最復雜的可靠性問題,因為許多與工藝有關的過程都會影響到氧化層的完整性。M0268SJ200這些因素包括針孔、固定電荷、可動離子、電子/空穴陷阱、界面態、雜質、濺射工藝在氧化層界面引入的正電荷、si―o懸掛鍵等。

   當用多晶作柵電極時,由于受到在柵電極內可能形成耗盡層和電極功函數差的影響,在測試時實際作用在氧化層的電壓可能不同于施加在柵電極上的電壓,實際的擊穿電壓可能與測出的擊穿電壓不一致。

   MOS電容參數和寄生因素

   柵電極和硅襯底之間的功函數差與柵電極和襯底的摻雜有關。對襯底摻雜濃度為1016cm3的N型硅,若電極是鋁電極,典型的功函數差是一0.25V。工藝上常用重摻雜的多晶硅代替鋁作柵電極,典型的不同電極材料的功函數差和在硅襯底上簡并摻雜的多晶硅的功函數差可在相關文獻上查找到。如果多晶不是簡并摻雜的,功函數差是多晶中摻雜激活能的函數。