如果電容在所有的四條邊上都有金屬相連,″值取較小的尺寸,電壓差值可能比公式計算出的結果要小。M0280RC200當電容的形狀像個正方形時,中心處的電壓差值將比公式計算出來的值小一半。

   在設計和測試氧化層測試結構時,應當考慮到如下3種寄生誤差:表面漏電流、隔離漏電和平行電容。表面漏電是圓片級斜坡擊穿測試最關心的問題,可以表現為氧化層測試結構的測試點之間的低電阻值。實際漏電位置與設計有關,可能是測試點之間的直接漏電,或者連接到測試結構的金屬線之間的漏電。當在一個濕度較低的環境中測試,FN電流比表面漏電流大時,或者由于鈍化層的存在,有助于限制表面漏電流時,表面漏電就不會產生明顯的問題。上述條件并不是總能滿足,當測試條件較差時,在測試結構的設計中應考慮加上屏蔽環。屏蔽環與被屏蔽的線處于同一電勢,通常做法是通過一個運算放大器的高阻輸入端測量被測線以驅動一條單獨的線。如果采用這種系統,探針本身并沒有被屏蔽,探針可以用來連接運算

放大器的輸出端到屏蔽環處。從上述分析可知,薄氧化層結構可以用電容、電阻和電壓源組成的網絡來代表。圖8,36所示是一個薄柵氧化層的網絡示意圖。圖中,%ad為加在測試點處的電平,單位為V;q配為通過測試點處和連線到地的電容,單位為pF;Rk為到地的漏

電阻,單位為Ω;R血為連接線的電阻,單位為Ω;R∮為硅電阻,單位為Ω;/F:為由于硅柵功函數差和氧化層中的電荷產生的電壓降,單位為V;凡為多晶柵耗盡區的電阻,單位為Ω;q為多晶柵耗盡區的電容,單位為pF;氣x為薄柵氧化層的電導,單位為1⒑;咣x為薄柵氧化層的電容,單位為pF;Rs為硅耗盡區的電阻,單位為Ω;α為硅耗盡區的電容,單位為pF。