(1)鈉、鉀、氫等可動離子在一定溫度下,受到電場作用可在膜層中移動,從CAP004DG而使在表面感應出的電荷發生變化,結果使表面電勢和MOs結構⒍/特性發生變化。可動離子電荷對⒍/特性的影響表現在⒍/曲線的漂移。

  (2)固定氧化物電荷的存在加大了膜層中的電場,這就需要柵電極上有更多的負電荷才能恢復原有的表面電勢,也就需要更負的電壓來建立原來的表面勢,所以⒍/特性曲線將沿電壓軸向負電壓方向移動。若考慮金屬和半導體的功函數差‰s,則單位面積內的固定氧化物電荷的數目為

   (3)界面陷阱電荷位于界面處,能量位于硅禁帶中的分立或連續能級,它可以和硅表面快速地交換電荷。固定氧化物電荷使⒍/曲線只發生平移,而界面陷阱除使cˉ/曲線移動外,還會引起曲線形狀的畸變。由于界面陷阱中的電荷數量與表面電勢吒或吒s相關聯,因此界面陷阱電容qt(/)與表面電勢有關。界面陷阱電容是一微分電容,它與表面空間電荷層電容相并聯。因為它的充放電有一定的頻率響應,所以在很高的頻率下,界面陷阱上的電荷充放電跟不上信號的變化,則界面陷阱電容qt=0。因此高頻⒍/特性不包括qt成分。如果用Clf和咣f分別表示準靜態和高頻⒍/測量的電容,則: 利用低頻和高頻曲線的差異,就能測得界面陷阱電容,從而得到界面陷阱的密度。

   (4)氧化物陷阱是由于X射線、γ射線等產生電離的輻射線在膜層中產生電子空穴對,空穴被陷入陷阱,在膜層中形成帶正電的空間電荷而引起的。它也會使⒍/特性曲線向負電壓方向平移,平移量與陷阱電荷量及輻射時的偏壓有關。