說明S公司MOS電容樣品測試的最小電容值的波動比H公司MOS電容樣品測試的最小電容值的波動要大,其原因可能是S公司的MOs電容樣品有較大的泄漏電流。 CAP006DG由于泄漏電流較大,當MOs系統進入深耗盡狀態時,耗盡區寬度隨電壓增加而不能達到理論計算的最大耗盡層寬度,而理論上MOs電容值隨耗盡區寬度增加而減少,因此導致測量出的最小電容值出現偏差。

   用VC++編程計算了108個電容樣品的氧化層厚度、襯底濃度、平帶電壓和固定氧化層電荷密度,用MINITAB軟件對VC抖的計算數據進行了正態擬合,并分別計算出兩批樣品的各個參數的均值和標準差。圖917至圖9.20分別是氧化層厚度分布圖、襯底濃度分布圖、平帶電壓分布圖和固定電荷密度分布圖。