是正態均值,描述質量特性值分布的集中位置;σ是正態方差,描述

質量特性值分布的分散程度。CAP008DG在上述各參數的統計中,s公司樣品的各個工藝參數的標準差均小于H公司樣品,說明S公司的工藝一致性較好,工藝偶然偏差較小。由于受柵極多晶硅耗盡的影響,計算出的氧化層厚度是電性能等價的氧化層厚度,這個厚度比實際的物理層厚度要大一些,與相關文獻報道的當柵介質厚度小于狁m條件下,電性能測試厚度比實際物理層厚度大約0.sllm的研究接近。兩批樣品的平帶電壓接近。H公司電容樣品的氧化層固定電荷密度比s公司電容樣品的氧化層固定電荷密度要低。如圖9.20所示,圖中實線是H公司樣品的氧化層固定電荷密度擬合的正態分布曲線,虛線則是s公司的氧化層圃定電荷密度擬合的正態分布曲線。從中可見H公司樣品的中心值較低,表明固定電荷密度較低。而S公司的曲線表明s公司樣品的電荷密度的中心分布更集中一些。