為了精確模擬器件特性,AD8054AR中用了較精確的物理模型,包括復合和壽命模型、AD8054AR遷移率模型、BTBT(帶與帶隧穿模型)、BGN(禁帶變窄模型)及一些其他物理模型。

   MEDICI中的產生復合模型主要有SRH、AUGER、CONsRH、IMPACT.I、Ⅱ,TEMP等。根據深亞微米NMOSFET熱載流子效應特點,這里選擇CONsRII、AUGER和IMPACT。I模型。

   MEDIα提供多種遷移率模型,用戶可以根據實際情況靈活選擇模型。載流子遷移率/Jll和//p反映載流子輸運過程中的散射機制。MEDICI提供了3大類型的遷移率模型,如表10.21所示。

   對于深亞微米MOSFET來說,隨著器件特征尺寸縮小,溝道中橫向電場顯著增大,載流子在漏端附近可能獲得足夠能量成為熱載流子,熱載流子注入柵氧化層中,會導致si/S⒑2界面產生界面態和產生氧化層陷阱電荷。根據這一特點,這里模擬時選擇CONMoB(低場、300K時載流子遷移率隨雜質濃度變化模型)、FLDMOB(計入平行電場分量的遷移率模型)、sRFMoB2(本模型用在半導體一絕緣體界面,計入聲子散射、表面粗糙散射和帶電雜質散射)和TFLDMoB(一種任意集合結構的MOsFET反型層遷移率模型)模型。