在對數正態坐標上繪制累積失效率分布,得到加速應力下的壽命。計算溫度DSEP2X61-12A應力和電場應力的加速度,推算工作應力條件下NBTI壽命。工作條件下的壽命是加速應力條件下的時間與加速系數的乘積,加速系數是溫度加速度、電場加速度和應力作用時間的乘積。

    NBTI效應與HCI效應的耦合機制。在NBTI+HCI應力下,器件閾值電壓的漂移說明So2/si界面有正電荷的出現,而且NBTI效應和HCI效應都對正電荷的形成有貢獻,因此器件的退化是NBTI效應和HCI效應共同作用的結果。NBTI應力引起的閾值電壓漂移量與溝道長度無關,如圖11.18所示。 圖1118 NBT+HC和NBT應力下閾值電壓漂移量與溝道長度的關系 環境溫度對NBTI效應的影響。對于0.18um CMOS工藝器件,NBTI效應隨環境溫度的上升不斷強,125℃環境溫度條件下,NBTI效應產生的退化明顯大于HCI效應產生的退化。此時,NBTI效應是器件退化的主要因素。