恒定電場條件下,分別DSIK45在3個不同的溫度點(85℃、105℃、125℃)各測量一批PMOsFET的失效時間,以進行激活能的提取。在對數正態坐標上分別提取中位失效時間餌1、%I和%1,在半對數坐標上畫出中位失效時間△1、餳l和%1與溫度的倒數√寫、√馬和√尼的對應關系,對測量點進行線性擬合,該擬合曲線的斜率為凡″,據此可計算出激活能厶,如圖11.19所示。本圖僅是典型CMOS工藝NBTl效應激活能的提取,圖中計算出的激活能是0.52cV。

   電場加速因子的提取。恒定高溫(125℃)環境條件下,分別在3個不同的柵極電壓應力下(△.8V、咆,0V、吃。2V)各測量一批薄柵氧化層的壽命,在對數正態坐標上分別提取中位失效時間π2、‰和‰,在半對數坐標上畫出中位失效時間△2、‰和%2與柵極應力電壓/GsI、吒s2和%s3的倒數的對應關系,該對應關系擬合曲線的斜率就是電場加速因子C,如圖11.⒛所示。