數據存儲器擴展
發布時間:2016/7/19 20:52:19 訪問次數:811
1.單片機數據存儲器
外部數據存儲器與程序存儲器擴展設AD7887BRZ-REEL7計方法基本相同,只是外部數據存儲器的讀/寫信號要由WR和RD來實現。
2.靜態RAM擴展實例
單片機gOc51應用系統擴展8KB靜態RAM。
解 (1)芯片選擇
根據題目容量的要求,選用sRAM6%4。它是一種采用CMOS工藝制成的田uM,采用單一+5V供電,輸入/輸出電平均與TTL兼容,額定功耗⒛0mW,典型存取時間200ns,28線雙列直插式封裝。
能“的引腳如圖9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址線;8根(D0~D7)雙向數據線;CE為片選線,低電平有效;WE為寫允許線,低電平有效;oE為讀允許線,低電平有效。
(2)硬件電路連接
單片機與⒍CzI的硬件連接如圖9.7所示。
1.單片機數據存儲器
外部數據存儲器與程序存儲器擴展設AD7887BRZ-REEL7計方法基本相同,只是外部數據存儲器的讀/寫信號要由WR和RD來實現。
2.靜態RAM擴展實例
單片機gOc51應用系統擴展8KB靜態RAM。
解 (1)芯片選擇
根據題目容量的要求,選用sRAM6%4。它是一種采用CMOS工藝制成的田uM,采用單一+5V供電,輸入/輸出電平均與TTL兼容,額定功耗⒛0mW,典型存取時間200ns,28線雙列直插式封裝。
能“的引腳如圖9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址線;8根(D0~D7)雙向數據線;CE為片選線,低電平有效;WE為寫允許線,低電平有效;oE為讀允許線,低電平有效。
(2)硬件電路連接
單片機與⒍CzI的硬件連接如圖9.7所示。
熱門點擊
- 漏感應勢壘降低(DIBL)效應
- MOs管的Dummy
- Proteus Design suite軟件
- MOs電容的能帶和電荷分而
- 減弱熱載流子注入效應的應對措施
- 特殊功能寄存器位的聲明
- 恒定電壓等比例縮小規則
- ROM中常數讀取指令
- 存儲器芯片的選擇
- 銅互連概述
推薦技術資料
- 單片機版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細]