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數據存儲器擴展

發布時間:2016/7/19 20:52:19 訪問次數:811


   1.單片機數據存儲器

   外部數據存儲器與程序存儲器擴展設AD7887BRZ-REEL7計方法基本相同,只是外部數據存儲器的讀/寫信號要由WR和RD來實現。

   2.靜態RAM擴展實例

   單片機gOc51應用系統擴展8KB靜態RAM。

   解 (1)芯片選擇

   根據題目容量的要求,選用sRAM6%4。它是一種采用CMOS工藝制成的田uM,采用單一+5V供電,輸入/輸出電平均與TTL兼容,額定功耗⒛0mW,典型存取時間200ns,28線雙列直插式封裝。

   能“的引腳如圖9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址線;8根(D0~D7)雙向數據線;CE為片選線,低電平有效;WE為寫允許線,低電平有效;oE為讀允許線,低電平有效。

   (2)硬件電路連接

   單片機與⒍CzI的硬件連接如圖9.7所示。

   


   1.單片機數據存儲器

   外部數據存儲器與程序存儲器擴展設AD7887BRZ-REEL7計方法基本相同,只是外部數據存儲器的讀/寫信號要由WR和RD來實現。

   2.靜態RAM擴展實例

   單片機gOc51應用系統擴展8KB靜態RAM。

   解 (1)芯片選擇

   根據題目容量的要求,選用sRAM6%4。它是一種采用CMOS工藝制成的田uM,采用單一+5V供電,輸入/輸出電平均與TTL兼容,額定功耗⒛0mW,典型存取時間200ns,28線雙列直插式封裝。

   能“的引腳如圖9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址線;8根(D0~D7)雙向數據線;CE為片選線,低電平有效;WE為寫允許線,低電平有效;oE為讀允許線,低電平有效。

   (2)硬件電路連接

   單片機與⒍CzI的硬件連接如圖9.7所示。

   

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