MOCVD夕卜延生長中的基本機制和原理,已經有很多研究和討論。 HD64F2177VTE33V本書主要參考了包括陸大成先生等人的著作的相關成果,在此簡單介紹一些在LED外延生產中經常需要重點理解和掌握的基本知識點,拋磚引玉,幫助大家有個初步認識。較為全面的總結性介紹可 參閱陸大成先生等人的專著《金屬有機化合物氣相外延基礎及應用》[1叫。分析MOCVD的外延生長機制和原理,首先需要準確認識MOCVD反應室的流場和外延生長的動力學特點。在MOCⅤD外延生長中,反應源氣體源源不斷地從供應系統進入反應室,經化學反應和外延生長后又源源不斷地從反應室排到尾氣系統,這一連續進氣和排氣的特點使得相關過程被歸納為開管流動系統。在這樣的開管流動系統中,從反應區域上方到襯底以及托盤附近實際存在很大的溫度梯度。反應氣體流經反應室在襯底上滯留的時間較短,使得MOCVD可被認知為非平衡過程。對非平衡過程的分析研究必須考慮動力學因素。MOCVD生長動力學包括化學反應動力學和質量輸運兩部分的結合,結合熱力學分析,我們可以了解晶體生長過程的基礎,并且對MOCVD外延生長過程與特點進行分析和判斷,估算外延層的生長速率、組分、摻雜等。