PL譜在表征和研究材料以及材料內部的動態過程方面非常有效。但是,與其他的實驗手BAV23A段類似,PL譜并不能全面地給出某一特定材料的各方面的特性。比如,PL譜雖然能夠給出材料系統的本征值,但是不能給出材料本征態波函數、發光過程中暫態動能、輸運動力學和空間分布的特征。為此,人們將常規光致發光譜進行了拓展,發展了時間分辨(timc-resolⅤed)光致發光譜、空間分(spatia11y-rcso1Ved)光致發光譜以及近場掃描光學顯微法。時間分辨的光致發光譜能夠提供有關表面復合、復合動力學以及輸運動力學等方面的信息,并且此技術對波函數非常敏感。空間分辨光致發光譜對樣品的不均勻性和輸運特征敏感。而最近發展起來的近場掃描光學顯微法被用來測量半導體材料的表面形貌。

   綜合而言,光致發光譜在測量和表征半導體材料的特征方面發揮著十分重要的作用。主要表現為4個方面:①測量材料的發光效率;②材料的組分(如合金);③雜質成分;④薄層厚度(如量子阱厚度)等。