電壓電容(C-V)測量技術是利用pn結或肖特基勢壘在反向偏壓時的電容特性,以獲得材料中雜質濃度及其分布信息。傳統C-V測量需要制備一個金屬一半導體接觸的肖特基結二極管, BAV99S-NXP以獲得材料中雜質的縱向分布。

   從pn結理論知道,pn結具有一定的電容特性,電容大小不僅與結的性質有關外,還與材料中雜質摻雜濃度和結面積有關l。R]。pn結電容根據其形成方式分類,可分為擴散電容CD以及勢壘電容o。在正向電壓下,非平衡少數載流子擴散進入pn結兩側空間電荷區(即勢壘區),并在在結兩側擴散區域內形成少數載流子積累,其數量是隨外加電壓變化而變化的。這是一種附加的電容效應,把這樣形成的電容稱為擴散電容。用C-V法測外延層雜質濃度時,pn結處于反向偏置狀態,因而不涉及擴散電容。

   pn結空間電荷區的寬度受外加電壓大小的影響,當增加pn結上的反向偏壓時,勢壘區寬度就相應地增大。勢壘區空間電荷是電離雜質所帶電荷,隨著勢壘區擴大,電離電荷量相應增加。如果除去外加負(正)電壓,則勢壘區寬度便減小(增加)到原來的大小,空間電荷區內包含的電荷量減少(土曾加)。由此可知,勢壘區的電荷量與外加電壓大小有關,因此pn結具有電容特性,該電容就是勢壘電容",43]。根據電容的定義.