應該指出,pn結電容與一般電容器不同,一般電容器中電荷量與電壓成線性關系,電容是一個常數。BAV99W-NXP結電容之所以用微分定義,是因為當外加偏壓變化時,其電容的數值也隨之變化。pn結上一般加一個固定的直流偏壓,交流信號電壓d/是疊加在直流偏壓之上的。交流信號電壓d/與直流偏壓相比是一個微小的變量。這里所說的pn結勢壘電容就是指這個微小電壓變化量d/所引起的pn結空間電荷量的變化,因此又把pn結勢壘電容稱為微分電容。由于結的勢壘區寬度隨外加電壓的變化不是線性的,所以電荷隨電壓變化也不呈線性,那么結電容便是一個非線性電容。

   利用C-V法測試半導體材料中的雜質濃度時,需要制備出一個金屬一半導體接觸的肖特基二極管,將其近似看做一個單邊突變結。假設材料中的摻雜雜質全部電離,單位結面積上的總電荷由下式給出:,‰為自建電勢;‰卜為外加電壓; J為單邊結寬度;g為電荷量,州D為摻雜濃度;ε0為真空絕對介電常數;G為材料的相對介電常數,正號表示反向偏置,負號表示正向偏置。