AlGaN電子阻擋層
發布時間:2016/7/31 16:38:09 訪問次數:3707
AlGaN電子阻擋層(Electron blOcking layer,EBL)中存在的極化效應也會導致能帶彎曲。在EBL與有源層的最后一個壘的界面處,EBL材料的能帶向下彎曲,造成電子泄露。 AF60N03D這被認為是造成LED在大電流注入時效率下降的可能原因之一。
以上種種,都說明多量子阱內的極化場阻礙了Ⅲ族氮化物光電子器件的效率提升。若能對Ⅲ族氮化物材料中的極化場加以調控,避短揚長,勢必將促進氮化物半導體的發展與應用。利用極化效應改善氮化物半導體器件的性能或開發新型器件己成為一個很有潛力的研究方向。
AlGaN電子阻擋層(Electron blOcking layer,EBL)中存在的極化效應也會導致能帶彎曲。在EBL與有源層的最后一個壘的界面處,EBL材料的能帶向下彎曲,造成電子泄露。 AF60N03D這被認為是造成LED在大電流注入時效率下降的可能原因之一。
以上種種,都說明多量子阱內的極化場阻礙了Ⅲ族氮化物光電子器件的效率提升。若能對Ⅲ族氮化物材料中的極化場加以調控,避短揚長,勢必將促進氮化物半導體的發展與應用。利用極化效應改善氮化物半導體器件的性能或開發新型器件己成為一個很有潛力的研究方向。
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