在量子阱生長過程中,溫度變L6562DTR化的控制十分重要,因為一般GaN壘層生長溫度較高,而IIllGal”N阱層生長時為了保證In組分的并入率需要較低的生長溫度。由于GaN勢壘層和InGaN阱層厚度僅為十幾納米或幾納米,生長時間只有幾分鐘,因此這就要求在極短時間內實現高低溫的變換,溫度變化不當,將會造成界面粗糙。(mρ到等人采用雙溫度生長的方法研究了量子阱壘層的生長溫度對InxGa1~N/GaN多量子阱性質的影響,在I‰Ga1~川阱層(⒛0~⒎0℃)生長完以后,中斷一段時間,升高溫度(840~88o℃)并且將載氣由氮氣換為氫氣進行GaN壘層的生長;之后再中斷一段時間,降低生長溫度并將載氣由氫氣換回氮氣進行I△GalαN阱層的生長。隨著壘層生長溫度的增加,多量子阱的結構、光學性質以及表面形貌都得到了改善。然而在中斷生長期間I廴Gal”N阱層中的In組分會由于溫度的升高而揮發損失,解決這一問題通常的做法是在生長GaN壘層之前先在InlGa1~N上覆蓋低溫GaN作為保護層,然后再升溫生長高溫GaN壘層。shc'刨等人則研究了雙溫度生長法條件下阱層和壘層的厚度對其發光性能的影響,他們結合X射線衍射分析的結果認為隨著壘層厚度的增加改善了阱壘界面的質量。