低V/III比時本底G扒s表現為p型與C的寄生摻雜有關,C在GaAs中占據As位起受主雜質作用。本底GaAs中的寄生C雜質來源于TMGa源中的CH3官能團,當V/III較低時,來自CH3中的C就會有更多機會占據As位。 AAT2512IWP-AA-T1隨著V/III比的增加,一方面C占據As位的機率減小,另一方面來自AsH3裂解的H會與C比結合形成穩定的CH4從外延表面脫附,使得C自摻雜的濃度降低。隨著C自摻雜濃度的降低,來自Ⅲ族和V族原材料中的施主雜質Gc和si的作用逐步增加,使得材料由p型轉化為n型。

    V/Ⅲ比不但對本底材料的摻雜特性有影響,而且對主動摻雜材料的摻雜特性也有影響。在實際的材料外延過程中,V/III比的調整是通過改變V族源的流量來實現的,Ⅲ族源的改變則用來控制生長速率。

   反應室的壓力也是影響外延層材料質量的重要因素,據此可分為常壓MOCVD(AP-MOCVD)系統和低壓MOCVD(LP-MOCVD)系統。AP-MOCVD有設備簡單和成本低的優點,相對而言,LP-MOCVD則需要抽真空系統和反應室壓力控制系統,設備的復雜度及維護成本較高。