目前商業化的GaN基藍綠光LED的外延襯底材料主要有藍寶石、硅和碳化硅3種。 MLV-030D硅因其較活潑的化學性質,因此作為GaN的外延襯底常在芯片制造過程中用化學腐蝕的方法被去除,而將LED制作成垂直結構。但是,硅材料與GaN材料之間較大的晶格失配和熱失配,加大了硅襯底GaN夕卜延技術的難度,目前技術不夠成熟,應用不夠廣泛。碳化硅材料是GaN夕卜延的理想襯底,但因其價格昂貴,襯底晶體質量難以提高,且外延工藝技術、專利被少數公司壟斷,因此也未得到廣泛推廣。所以,市場上應用最為廣泛的是藍寶石襯底,其成本適中、技術成熟。但藍寶石的硬度高(莫氏硬度為9,僅次于金剛石),不利于后續加工,且熱導率(25。⒓W/mK@100°C)較低,因此藍寶石襯底GaN基LED芯片需要采用研磨拋光的方法將襯底減薄,此工藝一方面能順利將晶片進行分離成單一獨立的芯粒,另一方面減少襯底導入的熱阻。