垂直芯片制備步驟中,晶片鍵合(wafcr bonding)、激光剝離(lascr liR-off)是制備垂直結構GaN基LED的關鍵工藝,也是垂直結構與目前LED芯片主流制程(正裝、倒裝)的重要差異。鍵合技術與激光剝離技術相結合, K3953M能夠通過將GaN基LED芯片從藍寶石襯底轉移到其他高電導率、高熱導率襯底,用于解決藍寶石襯底給GaN基LED帶來的不利影響P5^2刨。圖午39給出了晶片鍵合和激光剝離的流程圖。

   如圖4-39中(a)~(d)所示,首先利用晶片鍵合的方法將G瘀夕卜延片與轉移襯底鍵合在一起,Au作為鍵合金屬層,通過熱壓實現G扒材料與襯底結合,鍵合溫度300~5OO℃。再利用GaN材料高溫分解特性及GaN與藍寶石間的帶隙差,采用光子能量大于C.aN帶隙而小于藍寶石帶隙的紫外脈沖激光,透過藍寶石襯底輻照GaN材料,在其界面處產生強烈吸收,使局部溫度升高,GaN氣化分解,實現藍寶石襯底剝離。選擇合適的能量密度,使高溫區集中于界面附近是實現高效、低損傷激光剝離的重要因素。另外,激光束的準直以及激光光斑的均勻性是實現成功剝離的保證。