相對傳統結構LED,垂直結構LED具有好的電流擴展能力、更大的光提取效率、更小的電壓降。EE80C196KC20對于做成垂直結構的LED,加入CBL也能起到提高亮度和光效的作用阝刀。垂直結構LED加CBL的示意圖和SEM拍的芯粒全貌如圖5-2所示lgl。藍寶石襯底GaN基LED做成垂直結構需要用鍵合(bongding)或者電鍍等方式將外延層固定在支撐基板上(硅基板或者金屬基板等),然后再用剝離工藝(hft off)將藍寶石襯底去除,一般將露出的n~GaN表面進行粗化以提高出光功率,如圖5-2(a)所示。Hwang Hce JcOng等人lgl研究了45mil×45雨l尺寸芯片上加上不同寬度CBL后對亮度和電壓的影響,發現隨著CBL寬度的增加,光功率增加,同時電壓也有所增加,如圖5-3所示。