也有研究者根據金屬電極吸光、擋光等特性,設計出既能起到電流阻擋的作用,又能E-L7203TR將金屬電極下方的有源區發出的光反射回芯片底部lsl,使光在芯片底部的反射層和電極下方的反射層之間發生多次發射,最終達到光取出的效果。如圖5-4(a)[1叨便是用布拉格反 射鏡做CBL的芯片示意圖,圖5-4(b)是布拉格反射鏡配套鋁反射層做CBL的芯片示意圖[11]。此類型結構的芯片比同尺寸只用單一絕緣層做CBL的芯片在相同電流驅動下的光功率有所提高,具體提高的比例由復合反射層的反射率、CBL的寬度和厚度等因素決定。用高能電子照射[l劍或者氮氣環境下高溫退火的方式[13]可將p-GaNˉ中的M纊H復合鍵打斷,使Mg受主離化率提高,從而提高少GaN中的空穴濃度[l釗。Chia-Ming Lce等人[l劊利用此原理,用金屬做掩膜后對p-⒍N進行選區退火激活,被金屬覆蓋的區域由于高阻而形成電流阻擋層,在⒛mA下光功率可提高⒛%。