D.S.Kuo等人用熱磷酸對GaN夕卜延層進行缺陷選擇性濕法蝕刻形成傾斜側邊,制備了側邊腐蝕的LED器件,相對傳統的LED,出光功率提高30%。 FGL40N120AND圖5-24是用側腐蝕工藝制備的GaN基LED芯片的結構示意圖和用sEM拍的側邊形貌照片,明顯可以看到芯片側邊的整個外延層被磷酸蝕刻干凈,露出PSS圖形,外延層底部蝕刻的深度比外延層表面蝕刻的深度要深,使得整個外延層形成倒T形,從而增加側壁出光。圖5-25展示了用LED光型儀測出的有無側腐蝕工藝的LED發光光型圖。在光型圖中可以看出,(a)圖四周發光明顯比(b)圖強,這說明側腐蝕將LED側壁腐蝕成倒T形能增加側壁出光,從而增加了光功率和光提取效率。如圖5-%所示是有無側腐蝕工藝LED的z-f-/曲線,從圖中可看到,1201nA驅動下,做了側腐蝕工藝比未做此工藝的出光功率從50mW提高到65mW,提高30%。

   圖5-24 側腐蝕工藝制備LED芯片