側腐蝕工藝不僅僅是指將激光燒蝕的殘留物濕法去除和將側壁蝕刻成倒T形,也包括通過蝕刻改變芯片的外形。 FGL60N100BNTD有研究者uq在傳統的LED樣品制作流程完畢后,用800W的汞燈作為光增強化學腐蝕(photoelec“ochcmical,PEC)的光源,用Pt作為陰極,⒛V的正向電壓作用在肛GaN上30min,然后用Hα∶比o=1△溶液溶解生成的Ga2o3,然后將之浸入gO℃溫度、2.2M濃度的KoH溶液ωmin進行晶體學濕法蝕刻形成具有錐狀側壁的LED。

   其樣品制作主要步驟示意圖和sEM照片如圖5-27所示,首先按照傳統的芯片制備方法制備出側壁豎直的LED樣品,然后PEC作用下氧化和蝕刻,再用熱KoH溶液腐蝕出錐狀側壁。

   通過PEC選擇性氧化和濕法蝕刻,穩定并且可以控制的在p-GaN中形成{10丁T)面,在n~GaN中形成(101O)面,二者形成27°角[如圖5-27(c)所示],相對傳統結構LED,提高了光提取效率。如圖5-28所示的z-J曲線和遠場輻射光型圖展示了經過上述PEC濕法蝕刻的樣品在⒛IuA下提高了出光功率⒛%。